一、光互连技术的发展与现状（论文文献综述）
宋婷婷[1]（2021）在《针对片上光互连网络通信可靠性的研究与优化》文中进行了进一步梳理在当今信息时代应用需求爆炸式增长的驱动下,实现高可靠性和高计算性能的超级信息处理系统是片上系统发展的必然趋势。随着互补金属氧化物半导体（Complementary metal oxide semiconductor,CMOS）工艺技术的长足改进,单芯片上集成成百上千个处理核的多核处理器系统已经实现。在片上多核系统中,由于多任务的并行处理及处理核间海量数据的频繁交换,迫切需要一种高效的通信架构来实现系统的高性能信息处理。得益于与CMOS兼容的硅光子技术的迅猛发展,片上光互连网络（Optical networks-on-chip,ONo Cs）有效解决了传统电互连所产生的高时延、高损耗、带宽限制和通信效率低等问题,其具备强大的并行计算能力、优秀的资源利用率和良好的可拓展性,在超高速光通信、超级计算机系统、计算机体系结构设计等领域具有广阔的应用前景。此外,将波分复用技术应用于片上光互连网络能够满足超大容量和超高速率对更高通信带宽的需求。然而,现阶段片上多核光互连网络的通信可靠性无法得到有效保证。一方面,由于硅基光子器件本身的材料属性和当前尚不完美的制造工艺,光载波信号在传输过程中不可避免地会遭受固有物理损耗和串扰噪声的影响,从而导致网络中多跳通信光信噪比的降低及误码率的增大。另一方面,硅基光开关元件对温度波动和工艺偏差非常敏感,温度及制造工艺的轻微变化都会导致光开关的谐振波长发生漂移,使得光通信链路的物理性能变差,对系统级的通信性能和可靠性造成负面影响。尤其对于采用波分复用技术的片上光通信系统,由上述问题导致的数据通信可靠性降低现象更为严重。因此,本文针对如何提升片上光互连网络的通信可靠性这一问题,开展了相关研究,并取得了如下研究成果:1.针对多波长片上光互连网络中的串扰特性,将角度优化（60°/120°波导交叉）方法应用于支持波分复用技术的光路由器层和光网络层,以提升光通信链路的物理性能,降低光网络中信号传输的误码率。首先,依次构建了完善的光器件级、光路由器级和光网络级的插入损耗和串扰特性分析模型;其次,基于角度优化方法和理论分析模型设计了优化的Crossbar和Crux光路由器的优化结构,对比分析该方法对光路由器的串扰特性及各端口光信噪比性能所产生的积极影响;最后,将所设计的角度优化光路由器应用于光网络层,基于Mesh和Torus拓扑结构的片上光网络进行了光网络层的数值仿真分析。仿真结果表明:该优化方法在本文所用参数下可将光网络层的平均光信噪比提升约1.5 d B,其能够有效提升多波长片上光路由器和光网络的光信噪比和误码率性能,实现光网络中更低的误码率传输和数据通信的可靠性提升。2.将信道编码技术应用于片上光互连网络,结合群计数编码方法具有强大检错能力的优势,设计了全电、全光和光电混合的群计数编码器,其中全光和光电混合的群计数编码器基于硅基微环谐振器设计实现。基于仿真软件Interconnect验证了所设计的光电群计数编码器的正确性和可行性,并对其检错效率、能耗和面积开销进行了详细的分析和评估。分析结果表明:该群计数编码方法的错误检测效率可以达到88.2%,相比于奇偶校验方案的检错效率高出36.6%;全电、全光和光电混合的群计数编码器在最坏情况下能耗分别为0.260 f J/bit、56.000 f J/bit和30.386f J/bit;另外,该光电群计数编码器的占芯比例非常小,当Mesh和Torus网络规模增大至10×10时,其面积开销在整个芯片尺寸中的占比小于0.15%。3.设计了一种新型的适用于片上光互连网络的高可靠性通信系统,该系统具有错误检测和数据重传功能,可以有效保证目的节点所接收数据的正确性。在此基础上,为了减少串扰对通信可靠性的影响,对重传机制进行了优化,进一步提升数据重传的可靠性。基于Opti System仿真系统直观呈现了光群计数编码方法对于实现高可靠光通信系统的可行性和有效性,验证了所提出的光通信机制可以有效提高片上光互连网络中数据通信的可靠性。此外,选择常用的奇偶校验方案作为对照,基于不同的通信机制全面地评估了该可靠性片上光通信系统所付出的功耗和时延代价。分析结果表明:由于增加了激光源、编码及校验电路,采用群计数方法实现4比特数据的可靠传输相较于不含错误检测机制直接传输需要额外消耗26.4%的功率,相比于奇校验方案需要额外消耗16.3%的功率。基于奇偶校验的重传机制相比于只采用奇偶校验但无重传约需额外35%的零负载端到端时延开销,采用群计数方法重传机制的零负载端到端时延比只采用群计数方法但无重传约多出39%。本文所提出的可靠性提升技术在当前片上集成中切实可行,可以有效提升片上多核光通信网络系统数据通信的可靠性。在数字光通信领域和大规模片上光互连网络中具有潜在的应用价值,为芯片上可靠性光通信系统的实现提供了理论基础和技术储备。
杨雯[2]（2021）在《基于深度强化学习的数据中心光互连拓扑研究》文中研究表明随着数据流量需求的不断增大,以及下一代高性能数据中心对处理速率和链路带宽需求的不断提升,传统的电交换网络已经无法高效承载高速数据交互的需求。同时,随着云计算、物联网、流媒体行业的快速发展,部署在数据中心中的应用类型日趋多样化,其流量分布特征差异较大,传统的数据中心都是基于固定的网络连接结构与路由策略,其适应性和灵活性差,无法保证网络性能。近年来,在交换技术方面,得益于光交换对链路速率和数据的透明性,基于光电混合交换技术的互连架构打破了传统电交换网络在带宽和功耗等方面的局限性,同时避免了全光交换的快速控制和冲突解决问题。在网络控制方面,软件定义网络、深度强化学习、意图驱动网络等技术得到了长足的发展,使得在光电混合互连的数据中心中由一个统一的智能决策控制器来实现底层电、光交换设备的一体化管控成为可能,进而实现流量的精确调度。基于上述分析,光电混合组网技术具备灵活的链路连接特性,这为网络拓扑重构以适配不同应用和服务产生的各种流量分布提供了可能性。因此,本文针对传统数据中心电互连网络在应对业务动态流量时存在适应性差的问题,从路由优化和拓扑优化两个方面来对数据中心业务进行优化重构。（1）在优化策略方面,本论文采用DDPG深度强化学习算法,通过与基于OMNeT++的网络仿真系统与深度强化学习模型的迭代交互,来让模型学习复杂任务控制策略,实现对拓扑结构与业务流量分布关系的持续训练。（2）同时,为了实现网络重构的自动化控制,本文提出了一种新的网络架构,在光电混合网络的基础上使用SDN控制器来进行网络的规划,深度强化学习模型根据SDN控制器实时收集的业务流量分布信息,实现网络拓扑的自动优化重构,进而提升网络性能。实验结果表明,针对给定的流量强度,采用深度强化学习进行训练后的模型与未训练的模型相比,可以显着降低平均网络延迟和丢包率。
位祺[3]（2020）在《应用于单纤双向光互连的垂直集成收发一体芯片》文中进行了进一步梳理近年来,数据中心和高性能计算机系统应用的快速发展使得支撑短距离数据通信和计算机连接中的高速光互连技术倍受关注。相比于传统的电缆连接技术,光互连技术具有能耗低、可快速切换、可波分复用及并行、可重构性、跳数少等优点,因此光互连技术具有绝对的优势并将取代所有的数据中心网络架构的电子互连。而目前,短距离光互连技术的主流解决方案则是垂直腔面发射激光器（Vertical-cavity Surface-emitting lasers,VCSELs）与多模光纤配合技术。该技术由于具有能耗小、成本低且带宽密度大等巨大优势,所以现在并且将来还会继续主导短距离光互连市场。为了构建下一代高速数据中心网络架构,进一步提升短距离光互连的传输速率,基于短波波分复用技术的多通道传输的解决方案,由于可大幅度减少光纤成本,已成为当前的研究热点。其中,400G BiDi MSA工作组和IEEE 802.3cm工作组都制定了关于单纤双向通信技术方案的标准,此技术方案由于可向前兼容,在现有的基础设施上可直接通向400G网络架构而备受青睐。目前,市场上的BiDi收发器采用的是分光镜方法来分开收、发不同波长的光信号。此方案需要较为精密的光学对准系统,导致封装成本较高。另外,有研究学者将VCSEL和PIN光电探测器（PIN photodetector,PINPD）进行横向集成构成收发一体芯片,但是两单元器件与光纤的耦合效率比较低,仅分别为70%和60%。因此针对以上问题,提出了多种应用于单纤双向通信技术并在垂直方向集成的收发一体芯片。该芯片与现有的分立器件相比,可有效提高光纤的带宽利用率,减小光纤的使用数量和成本;与现有的BiDi收发器相比,可省去安装分光镜过程,有效节约封装成本;与横向集成收发芯片相比,能够有效提升器件与光纤的耦合效率至90%。基于VCSEL和多模光纤配合方案具备的优势,该芯片可有望成为应用于短距离光互连中单纤双向通信的低功耗、低封装成本、高带宽密度的收发一体芯片。本课题完成的主要研究内容和创新成果如下:1.提出了 VCSEL-PINPD垂直集成收发一体芯片,完成了该垂直集成器件从理论结构设计、器件性能仿真到制备实验证明的过程,充分证明了该垂直集成器件的可实践性,为在短距离光互连技术中的应用奠定了基础。（1）提出了一种腔内分布式布拉格反射镜（Distributed bragg reflector,DBR）的新型结构,完美解决了垂直集成器件中VCSEL单元和PIN光电探测器单元之间的光解耦问题。通过在一个具有低品质因子（Q值）的谐振腔中加入周期性DBR结构,并将谐振腔和DBR的中心波长分别设置在发射波长和探测波长处,实现在发射波长高反、在探测波长处高透的功能。仿真设计可以实现在发射波长上接近100%的高反射率和在探测波长上接近100%的高透射率,并且高于85%高透射率的探测波长范围可以达到20 nm。（2）设计完成了光互连中链路两端相互匹配的VCSEL-PINPD收发一体芯片的器件结构,并仿真完成了该对芯片的VCSEL单元和PINP D单元的静态、动态特性研究和分析了两单元之间分别在光学和电学方面的相互影响。该对芯片的两工作波长分别设计为848.1 nm和805.3 nm;VCSEL单元的阈值电流分别为0.8 mA和1.1 mA,斜率效率分别为0.81 W/A和0.86 W/A,3 dB调制带宽分别为15.1 GHz和10.2 GHz;PINPD单元的量子效率谱宽分别为15 nm和13 nm（当量子效率大于70%时）,3dB响应带宽约为23 GHz。仿真结果证明,两器件单元可同时并独立地进行工作,在具有良好的静态性能的前提下,传输带宽可达到10.2 GHz。（3）外延生长并制备了 VCSEL-PINPD垂直集成器件（850 nm发-810nm收端）,完成了对基于新型腔内DBR结构的VCSEL单元的静态特性研究与分析。VCSEL单元的阈值电流为3 mA,斜率效率为0.84 W/A。由于VCSEL单元是决定收发一体芯片能否实现的关键单元,因此该实验不仅验证说明了 VCSEL-PINPD垂直集成器件的可实践性,并且为在短距离光互连单纤双向通信中的应用奠定了坚实的基础。2.为了进一步匹配短波波分复用标准,充分利用OM5光纤的传输损耗小、传输距离远等优势,提出了新型VCSEL-谐振腔增强型光电探测器（Resonant cavity enhancement photodetector,RCEPD）垂直集成器件结构。由于RCEPD的吸收区可采用InGaAs/AlGaAs量子阱,因此相比于PINPD,吸收波长可扩展至900 nm甚至更长。完成了 850 nm发-810 nm收端的VCSEL-RCEPD垂直集成器件的结构设计、静态和动态性能仿真以及两单元分别在光学方面和电学方面之间的相互影响。该集成器件的VCSEL单元的阈值电流为1.68 mA,斜率效率为0.58 W/A,3 dB调制带宽为12.8 GHz;PD单元的量子效率谱宽为8 nm（量子效率大于50%）,最大量子效率为60%,3 dB响应带宽为65 GHz。在光学方面,两器件单元之间的影响较小;在高频电学方面,两器件单元在-40 dB的隔离度下限制带宽为112 GHz,因此VCSEL-RCEPD集成器件两单元可同时并独立地进行工作。VCSEL-RCEPD集成器件为使工作波长红移的集成器件设计奠定了一定的基础。3.为了在满足较高的量子效率的条件下,拓宽集成器件的量子效率谱宽,提出了 VCSEL-双腔RCEPD垂直集成器件。完成了光互连链路两端相互匹配的VCSEL-双腔RCEPD垂直集成器件光学结构设计、静态和动态性能仿真以及分析了两单元有源区对彼此相关性能的影响。集成器件的VCSEL单元的阈值电流分别为1.6 mA和1.7 mA,斜率效率分别为0.74 W/A和0.97 W/A,3 dB调制带宽分别为9.5 GHz和11.0GHz;PD单元的3dB响应带宽都约为10GHz,量子效率谱宽分别8 nm和6 nm（量子效率大于60%时）,最大量子效率可达到90%以上。相比于VCSEL-RCEPD来说,在谱宽相近的情况下,量子效率提高了 20%～30%;而在量子效率相近时,量子效率谱宽则扩展了 4～6 nm。在达到较高的量子效率的前提下,量子效率谱的拓宽能够有效增加对激光器温度变化和光链路不稳定性的容忍度,提高了垂直集成器件的实用性。VCSEL-双腔RCEPD能够充分利用短波波分复用技术,并通过优化两单元的结构得到较好地高频特性,更好地实现短距离光互连单纤双向通信。
罗俊伟[4]（2020）在《基于VCSEL和PIN的一体集成光电收发芯片研究》文中认为现如今信息科学技术发展迅猛,光互连作为科技信息通信网络架构中的关键技术也在顺应时代的要求快速发展。目前光互连模块基本上依然以分立的接收器和发送器为基本结构,进行器件的分立式封装。近年来很多的研究人员都在探究激光器和探测器单片集成的方案,但其中基于垂直腔面发射激光器和光探测器水平方向集成的研究较多,以两个器件垂直集成并且同时工作为目标的研究还较少。本课题研究的是双端通信收发一体集成芯片对,一端发送805nm波长光信号接收850nm波长光信号,另一端接收805nm光信号发送850nm光信号。在本文中详细论述了基于垂直腔面发射激光器（VCSEL）和PIN光电探测器垂直方向集成的收发一体光电芯片结构,满足同轴方向上两个器件同时工作要求,而且结构设计能够有效提高芯片与光纤的耦合效率。更重要的是能够实现单纤双向光通信,不仅可以大幅度提高光互连模块的集成度,而且还能降低模块的复杂性和制作成本。本论文探究的主要内容如下:1、阐述了对于VCSEL和PIN的理论基础。对于VCSEL介绍了其结构的基本理论和阈值电流、斜率效率和3dB带宽等性能指标。在基本理论中对于量子阱激光器工作原理和工作特性进行了详细阐述,而且结合本课题所研究的集成结构详细介绍了 VCSEL单元所需要满足的特殊设计,即采用设计的非周期DBR使得805nm发送端芯片能够满足在805nm波长反射率达到99%以上在850nm波长反射率低于10%。PIN单元主要讨论了其基本结构、工作原理和工作性能。2、详细介绍了基于VCSEL和PIN集成芯片的结构设计工作。本部分首先介绍了集成结构中VCSEL单元的设计,详细阐述了优化设计4对量子阱有源区下直径6um的湿法氧化电流限制窗口结构VCSEL单元的理论分析过程;其次,提出了应用波分复用技术实现在805nm波长发送和850nm波长接收光信号,从而解决集成器件两部分单元光学解耦的问题,收发信道间设计隔离度大于40dB;最后使用A1203材料做电学隔离层解决两部分单元电学解耦的问题,当收发信道隔离度设置为-40dB时带宽为8GHz。本文中设计的VCSEL单元阈值电流1.0mA,斜率效率0.695W/A,最大输出光功率8mW,3dB带宽15GHz;PIN单元量子效率最高达到80%,3dB 带宽 21GHz。3、针对本课题集成芯片的工艺实现关键步骤进行探究。针对集成芯片的刻蚀保护研究了基于AZ5214和聚酰亚胺材料的厚胶光刻工艺,实现了 6um厚图形清晰的光刻;针对集成芯片的钝化层制作研究了高均匀性SiO2介质薄膜的PECVD淀积工艺,实现了厚度达到0.5um且均匀性良好的介质薄膜;针对VCSEL单元电流限制窗口制作研究了湿法氧化工艺,实现了保证外延片层结构完整条件下3um的氧化深度;针对高深宽比台阶上电极制作研究了针对性的图形反转光刻工艺,实现了清晰的直径3um的环形电极图案。4、完成了集成芯片工艺制作实现,验证了集成芯片的可行性。基于850nm发射波长和805nm接收波长的集成芯片结构,工艺制作实现了 VCSEL单元和PIN单元器件,并使用集成结构的PIN单元器件测试和分析了 VCSEL单元器件的性能数据,得到制作完成的850nm波长光信号发送端集成芯片VCSEL单元器件的阈值电流密度为3KA/cm2,最大输出光功率40.2mW,斜率效率0.74W/A。从而实验验证了集成芯片非周期DBR结构下的VCSEL单元的激射特性,进而验证了集成芯片的可行性。在对工艺实现过程中碰到的问题分析研究的基础上重新优化、设计了集成芯片的工艺实现流程及相应版图设计。
马尚琪[5]（2020）在《数据中心光互连网络流量调度算法的研究》文中进行了进一步梳理随着数据中心网络朝着超大规模方向发展,电互连网络在芯片容量、传输时延、网络能耗等方面面临无法逾越的瓶颈。光互连技术具有高带宽、低能耗、低开销等特点,能较好地满足大规模数据中心网络需求。基于光电路交换机（Optical Circuit Switch,OCS）的光互连网络具有设备成熟度高、拓扑结构简单、成本较低、配置灵活等特点,但光电路交换机没有缓存单元,在数据开始传输之前需要流量调度算法动态地配置光链路并分配带宽。现有流量调度算法受限于商用光电路交换机数十毫秒级的交换时延,存在光链路利用率较低、突发性流量和鼠流的通信需求无法保证等问题。随着硅光技术的发展,光交换模块不断改善,光电路交换机在数据层面具备了更精细的传输粒度,Mordia、Roter Net等交换机的配置时延达到微秒级。但微秒级光电路交换网络调度算法依然存在上述问题,并且无法兼顾时延敏感型和吞吐敏感型流量性能。为解决上述问题,本文分别提出针对毫秒级和微秒级光电路交换网络的流量调度算法。针对现有毫秒级光电路交换网络流量调度算法链路重配周期过长导致的时延敏感型数据流的流完成时间（Flow Complete Time,FCT）较高和光链路利用率较低等问题,本文提出了一种基于中继传输的调度策略（Relay-based Schedule Scheme,RSS）。RSS利用空闲链路通过中继架顶（Top of Rack,To R）交换机转发数据包,以减轻较长的链路重配周期对网络时延性能造成的影响。在不增加光电路交换机数量的情况下,RSS不仅使得鼠流和突发性流量有更多的机会通过光链路进行传输,还使得没有光链路直连的To R交换机之间可以通过中继To R交换机进行通信。本文还设计了相应的bufferfloat避免机制来防止中继To R交换机缓存过高导致的网络时延和吞吐性能急剧下降现象。网络仿真结果证明,在均匀、局部、跨步三种流量模式下,RSS鼠流FCT性能分别比现有基于KM算法的流量调度方案平均提升了47%、53.6%和39.8%。针对微秒级光电路交换网络流量调度算法无法兼顾时延敏感型和吞吐敏感型流量性能,以及配置开销较高、拓展性差、依赖于定制化光交换机难以实际部署等问题,本文提出了一种交换粒度可变的流量调度算法（Variable Granularity Schedule,VGS）,该算法配置开销较低且能适用于多台光电路交换机的光互连网络。算法根据网络中虚队列缓存情况动态地改变拓扑重配间隔,实现了交换粒度可变的光链路调度;在保持承载吞吐敏感型流量链路不变的情况下重新配置承载时延敏感型流量的链路,降低了时延敏感型鼠流的排队时延并减少了承载吞吐敏感型象流的链路的重配次数,从而降低了配置开销并提高了网络资源利用率。仿真结果表明,均匀流量模式下VGS算法的平均鼠流和象流的FCT性能相比于TMS算法平均提升了68%和58%,跨步流量模式下可变交换粒度算法的平均鼠流和象流的FCT性能相比于Roter Net轮询算法平均提升了57.3%和52.7%。在不同的网络规模和流量模式下,VGS算法的ETE时延和吞吐性能也大幅提高。
许晋彰[6]（2020）在《面向多FPGA器件的高速串行光互连系统研究与设计》文中研究说明随着信息技术的迅速发展,各种大数据应用不断涌现,导致芯片间通信带宽的需求呈现爆炸性增长。传统的多芯片系统普遍采用并行电互连的方式,但面对通信带宽的快速增长,这种互连方式存在多方面不足:首先,并行互连需要消耗大量的输入输出（Input and Output,IO）端口和引脚,在复杂系统的需求下甚至可能超出芯片的IO管脚总数;其次,多路并行走线在高带宽传输时容易产生线间串扰等信号完整性问题,限制了传输带宽的进一步提升;同时,电互连在芯片间传输过程中损耗较大,导致其传输距离有限。针对以上问题,本文提出了一种面向多FPGA（Field Programmable Gate Array）器件的高速串行光互连系统的设计方法。该系统借助高速串行传输和光互连接口,利用串行互连技术实现了多芯片间的高带宽通信,提升了数据传输的带宽和性能。本文首先根据系统功能与主要技术指标,综合考虑互连结构、通信协议及接口芯片特性,完成了系统整体结构的设计,实现了多FPGA器件间多通路、高带宽、可灵活切换的互连结构;为了实现高速可靠的数据传输,本文进一步借助高速串行和光互连接口完成了互连链路的构建,实现了高速单通道互连、多通道互连以及高速转接互连的链路设计、时钟分配和多链路数据同步设计,保证了传输链路的相应指标达到系统要求;本文在系统结构和链路设计基础上,构建了基于高速串行光互连的硬件平台。通过对电源系统、配置系统、存储系统以及光接口电路等关键电路的探讨,结合板材选型与高速PCB（Printed Circuit Board）设计,实现了由5个FPGA器件构成的高速串行光互连系统硬件平台,验证了本文提出方法和设计的有效性和合理性。本文对所设计的系统进行了功能和性能测试,实验结果表明:本文提出的面向多FPGA器件的高速串行光互连系统在总吞吐率、单通道传输速率和传输误码率等指标上均达到系统设计要求,能够在占用较少芯片管脚资源的情况下,实现多芯片间高带宽的信息传输。本文提出的设计对未来多芯片间的通信系统设计具有一定的参考意义。
王畅[7]（2020）在《机器学习辅助的短距离光互连高阶调制技术研究》文中研究说明近年来,云计算/存储、4G/5G无线通信、人工智能等信息技术和产业快速发展,导致数据通信量持续爆炸性的增长,带来对大容量、高带宽、低损耗光通信的迫切需求,尤其是面向数据中心（DC）、高性能计算机（HPC）以及无线前传等应用的短距离光互连。对于短距离场景,成本、功耗、密度是关键需求,以直接检测的光互连方案为主,包括经典的强度调制和直接检测（IM-DD）以及近年来兴起的斯托克斯矢量直接检测（SV-DD）。在这些方案基础上,进一步采用包括高阶调制编码、纠错编码和数字信号处理（DSP）等先进技术可以有效提高速率。IM-DD系统的高阶调制主要包括N阶脉冲幅度调制（PAM-N）、无载波幅度相位调制（CAP）、离散多音调（DMT）等。其中,具有相对较低的复杂度和较高频谱效率的DMT在IM-DD系统中引起了大家的广泛关注。DMT根据信道的信噪比（SNR）分布,在各个载波上加载具有不同比特数的QAM调制。由于DMT具有良好的自适应性,被IEEE 802.3bs工作组视为下一代400 Gbps标准的重要格式。此外,斯托克斯矢量直接检测（SV-DD）也受到大量关注,SV-DD具有高谱效率、无本地振荡器、更少的快速傅立叶变换（FFT）操作、以及无需激光频偏和相位噪声跟踪等优势,是一种低成本直接检测的技术,也是短距离光互连的重要发展方向。本论文开展机器学习辅助的短距离光互连高阶调制技术研究,主要针对DMT调制光互连、SV调制光互连两种方法,采用机器学习辅助的DSP方法实现高阶调制性能的提升。主要研究内容包括:（1）提出基于支持向量机（SVM）的机器学习多分类判决方法,解决DMT调制的非线性损伤问题,实验实现单波112-Gbps的里程碑高速率。实验研究马赫曾德尔调制器（MZM）-单模光纤（SMF）、垂直腔表面激光器（VCSEL）-多模光纤（MMF）两种主要的光互连系统,提出并比较了针对QAM的一比多（Ov R）、符号编码（SE）、二进制编码（BE）、星座图的行和列（RC）、以及同向和正交分量（IQC）这五种不同特征的多分类方法,实验验证IQC分类方法具有最低复杂度。（2）提出基于端到端神经网络（NN-end2end）的盲估计方法,实现更低误码率的SV-DD解调。传统SV-DD解调方法包括基于偏振旋转矩阵估计的间接解调和基于盲均衡直接解调。本文提出的神经网络SV-DD解调,其输入层为接收端的SV,输出层为该星座点对应的比特编码信息,输出结果可以直接用来计算误码率。在单偏振调制4-QAM的2-D检测仿真中,在达到7%FEC时,NN-end2end的SNR比基于盲估计（B-E）方案的SNR低2d B;在双偏振调制4-QAM+PAM-2的3-D检测仿真中,在达到7%FEC时,NN-end2end的SNR比基于盲自适应均衡（BA-E）方案的SNR低2d B。可见,NN-end2end在恢复偏振旋转、缓解线性、非线性损伤方面显着优于传统解调方法。
敖应权[8]（2019）在《面向片上光互连的面发射激光器及其集成技术研究》文中进行了进一步梳理随着互联网时代的来临,大数据、云计算、人工智能等各种新型网络应用逐渐走入人们的生活。数据通信流量随之爆炸式增长。同时人们对网络的速率,带宽,时延和成本等的要求越来越高。传统的电互连方式,由于其无法逾越的“电子瓶颈”,限制了网络速率和带宽的进一步提高,已经无法满足当前网络大带宽,高速率的需求。以光互连技术为核心的信息交换方式以其大带宽,高速率,低时延的性能优势,能够克服传统电互连网络的速率和带宽局限性,成为人们追求的网络发展方向。其中最受关注的一项技术是片上集成全光互连技术。片上集成全光互连网络可以大大降低网络成本,功耗,提高可靠性等。特别是基于硅基光电子平台的片上光互连网络,其制作工艺与当前微电子半导体领域成熟的CMOS工艺兼容,前景尤为广阔,有望成为突破当前通信网络瓶颈的技术。然而,硅材料是一种间接带隙材料,基于硅材料的发光光源效率极低,约为1%。此外,如果大规模应用于通信网络中,片上光互连网络必将对组网成本非常敏感。因此,高效率,低成本的片上互连光源目前是制约硅基片上光互连网络的主要瓶颈。研制面向硅基片上光互连网络的高效率,低成本光源具有重大意义。目前发光效率最高并已商用化的光源是以三五族半导体材料为主导的激光光源。最接近商业实用化的硅基片上光互连网络是基于硅基三五族半导体混合集成光子芯片的网络。基于目前的片上光互连技术研究现状,本论文主要围绕面向片上光互连的可集成光源及集成光子芯片技术展开了一系列的研究工作,分别从面发射激光光源的设计与优化,实验制作方案;硅基波导光栅耦合器的设计优化;混合集成片上光互连芯片的实现三个方面进行了阐述。提出了易制作,低成本的表面高阶矩形光栅面发射半导体激光器;渐变脊波导型高阶光栅面发射激光器;提出了面发射激光器通过硅基波导光栅与硅基光子芯片的耦合结构,优化了激光器与硅基波导光栅的耦合效率;研究了混合集成光芯片的实现方案。全文的主要研究内容及成果总结如下:（1）提出了利用表面高阶光栅实现表面发射半导体激光器,并降低半导体激光器的制作难度,制作成本的原理方法。基于格林函数法深入分析了高阶光栅的面发射辐射特性。（2）分析了半导体激光器的工作原理。基于改进的时域行波模型,编写了仿真软件,深入分析了表面高阶光栅面发射激光器的激射性能,并优化了面发射激光器的输出性能。提出了表面高阶光栅面发射激光器的实验制作方案。（3）提出了利用硅基波导光栅与表面高阶光栅面发射激光器的耦合结构,研究了混合集成光子芯片的实现方案。并优化了其耦合效率。
徐晓[9]（2019）在《面向板级光互连的聚合物光波导及器件》文中认为随着数据中心及高性能计算机的发展,其内部数据速率及吞吐量呈爆炸式增长,短距互连对互连带宽及互连密度的需求不断增长,传统电互连技术面临着前所未有的挑战。相比之下,光互连技术在传输带宽、互连密度、能耗以及抗电磁干扰等方面都具有显着优势。光互连技术正从长距离通信向板间及芯片间的板级光互连发展。在板级光互连传输媒质的选择中,聚合物光波导由于具有成本低、互连密度高、特别是制备工艺与传统印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）工艺兼容、能与普通PCB层压集成形成光电复合线路板（Optical Printed Circuit Board,OPCB）等优势,受到学术界及产业界的高度重视。基于多模聚合物光波导与850 nm波长光收发器的板级光互连技术已日臻成熟,成为目前板级光互连系统的主要解决方案。另一方面,片上光互连是实现下一代超高速、低功耗芯片的有效解决方案,工作在长波长的硅基光电集成被视为最有前途的片上光互连技术。在此背景下,工作在1310 nm及1550 nm波长的单模聚合物光波导被认为是实现芯片间高密度、高速光互连的关键传输媒质。此外,除了聚合物光波导本身,要实现具有特定功能及拓扑结构的板级光互连系统,聚合物波导器件也必不可少。其中,面向高密度互连的需求,能够三维（Three-dimensional,3D）集成的3D波导器件亟待发展。本文面向高速率、高密度板级光互连应用,对聚合物光波导及器件技术展开了如下工作:1.高性能、大带宽多模聚合物光波导设计与制备850 nm波长低损耗多模聚合物光波导与低成本、高密度集成光收发器结合成为目前板级光互连系统的主要解决方案。但是,多模色散限制了多模波导的传输带宽及传输距离。此外,面向互连长度长达1 m的板级光互连系统的产业化应用,多模聚合物光波导的综合性能有待于进一步研究。我们旨在通过选择材料体系,优化工艺,提高多模聚合物光波导的整体性能,以满足板级光互连系统的实用性需求。基于多模聚合物光波导,我们的相关研究工作如下:1)米级聚合物光波导设计、制备与性能评估通过选择合适的材料体系,优化工艺流程,成功实现了具有超低损耗（0.046 dB/cm）、超低串扰（小于-56 dB）的高性能米级多模聚合物光波导,并且实现了速率高达56 Gb/s的PAM4信号传输。通过老化测试及回流焊工艺测试,聚合物光波导表现出了良好的环境稳定性。实验结果表明所制备的多模聚合物光波导是实现高速率及高密度米级光互连系统的一种低成本、可靠的方案。2)基于3D直写的新型聚合物光波导设计与制备采用3D直写工艺成功制备了圆形聚合物光波导,实现了与多模光纤之间的超低耦合损耗。所制备的光波导展现出了超低损耗（小于0.044 dB/cm）及超低串扰（小于-58dB）的优良特性。通过优化工艺流程,首次成功制备了750 mm长多模圆形聚合物光波导,并完成了25 Gb/s NRZ信号无误码传输;首次在圆形聚合物光波导上实现了4×25Gb/s短波复用传输,验证了3D直写工艺制备的多模聚合物光波导在大带宽、高密度板级光互连系统中具有广阔的应用前景。2.1550 nm波长单模聚合物光波导设计与制备基于硅基光电子的片上光互连技术投入应用后,长波长的单模聚合物光波导将成为实现高速率、高密度单模板级光互连系统的关键媒质。其不仅要实现模块间及板间信号传输,还要实现硅基光波导与单模光纤之间的高效耦合。单模聚合物光波导尺寸只有多模波导的五分之一,对工艺要求更严苛。此外,波导的侧壁粗糙度对单模波导的影响更加明显。对此,我们首次采用商用聚合物材料,通过对折射率的精确调控,利用3D直写工艺成功制备了单模渐变折射率圆形聚合物光波导。由于不受侧壁粗糙度的影响,对于间距为50μm的单模聚合物光波导而言,相比于光刻工艺,采用3D直写工艺制备的光波导的串扰下降了20 dB。同时,圆形波导芯实现了波导与单模光纤低至0.78 dB的耦合损耗。我们完成了25 Gb/s NRZ信号的无误码传输,实现了1550 nm波长高密度、低串扰、高速率单模光互连。3.关键无源器件设计与制备基于聚合物光波导的板级光互连系统的优势之一体现在可以由集成化的波导器件实现分光、路由等功能。为了实现具有复杂功能的板级光互连系统,我们对聚合物光波导器件展开了如下几方面的研究:1)分束器/合束器的设计与制备采用光刻工艺成功制备了1×32 Y型波导分束器/合束器,实现了光信号的组播与多个信号的组合。所制备分束器的32个输出端口分光均匀,最大不均匀度为1.39 dB。同时,面向板级光互连系统高密度3D集成的需求,通过优化3D直写工艺流程,首次制备了性能优良的1×4 3D分束器/合束器,实现了多层聚合物光波导之间的分束与合束。所制备的3D分束器的插入损耗低至1.1 dB,四个端口的最大不均匀度为1.24 dB。当作为合束器时,四个端口的平均插入损耗低至1.73 dB。2)3D定向耦合器的设计与制备在单模板级光互连系统中,为了满足高密度3D集成的需求,我们首次采用3D直写工艺成功实现了3D定向耦合器的制备。通过优化结构设计,减小了液体流动的影响,实现了1550 nm波长58:23:19的分光比。3)模式复用/解复用器的设计与制备在板级光互连系统中,为了在不增加传输通道数量的情况下增加系统的传输容量,我们将模分复用（Mode division multiplexing,MDM）技术引入板级光互连系统中。采用基于波导拉锥定向耦合的设计,增加了工艺误差容限,并首次利用3D直写工实现了器件的制备。所制备的模式复用/解复用器在1550 nm波长附近100 nm带宽范围内实现了LP01模到LP11模大于0.93的模式转换效率,模式消光比大于23 dB。本文通过对高性能多模及单模聚合物光波导和关键器件的设计与制备,验证了聚合物波导及器件在大带宽、高密度板级光互连系统中的广阔应用前景。另一方面,我们采用3D直写工艺实现了多种聚合物光波导及3D器件的制备,表明了3D直写工艺在高速,尤其是3D高密度集成板级光互连应用中的巨大潜力。
翦杰[10]（2017）在《片上光互连高阶交换芯片设计研究》文中研究说明随着高性能计算机（HPC）系统计算性能的不断增长,HPC内部计算节点数量也在不断增加,使得HPC内部互连网络的规模日益扩大。为确保互连网络性能,控制计算节点间数据交换的跳步数和传输延迟,具有更多交换端口的高阶交换芯片设计成为设计下一代高性能计算机互连网络结构的必要组件。基于传统电互连技术实现的电交换结构,由于存在I/O功耗和带宽限制、片内布线拥塞、片上缓冲区资源受限等一系列问题,面临进一步扩展的瓶颈。硅光网络由于具有传输速度快、传输带宽高、低功耗、低信号串扰等特点,成为设计可扩展高阶交换网络结构的热门选择,另一方面,3D芯片集成技术的发展,使得利用TSV实现多芯片层堆叠得以实现。上述两种新技术的发展和成熟,为片上高阶交换芯片的设计提供了新思路,以硅光器件搭建主要的片上交换网络结构,并基于3D集成实现芯片的多层堆叠,设计面向下一代HPC系统的高阶交换芯片,成为本课题的主要出发点。本文基于硅光技术和3D集成技术,从硅光互连高阶交换芯片的结构设计、网络仲裁算法优化、功耗和信噪比分析等方面,寻求解决传统电互连交换芯片在吞吐率、延迟、功耗、可扩展性等方面的问题,本文的主要工作和创新点包括:1、高性能的光高阶交换网络拓扑结构（第三章）基于传统的电互连网络技术设计更高阶数的高阶交换网络时面临带宽和功耗瓶颈,与传统的电互连网络相比,光互连网络在功耗、延迟、带宽等方面具有明显优势;3D集成工艺的出现,为片上互连提供了更高的带宽密度和更少的功耗开销。本文首先将光互连技术与3D芯片集成技术应用于高阶交换芯片的设计之中,利用基于3D芯片集成技术的多光层互连网络（Multilayers Photonic Network on Chip,MPNoC）,设计了一种高带宽、低功耗、低延迟、公平的高阶交换网络结构Graphein,Graphein结构利用TSV进行3D层间互连,层内则利用基于多写单读的光Crossbar进行高效数据传输,通过建立加速比分析模型,理论证明了Graphein结构在随机均衡流量下100%的吞吐率,从而满足了高性能计算系统互连网络结构对高阶交换芯片高吞吐性能的需求。2、基于资源预留机制的支持QoS的光互连网络仲裁策略（第四章）基于多优先级请求队列QOS服务的要求,提出了一种分级快速光互连网络通道仲裁机制。通过设置两级仲裁器,实现了网络资源的集中式仲裁;通过具有多优先级数据缓存队列的传输节点设计,实现了数据报文传输的最大延迟和节点的最小带宽保证。利用请求驱动的资源预约式两级仲裁机制,基于仲裁器与请求节点间的数据交换,实现了网络仲裁的完全公平,同时令网络的理论吞吐率达到100%;对设计的快速仲裁通道进行了合理布局,极大的缩短了仲裁延迟。上述创新,使得本文所设计的仲裁策略在为不同类型流量提供QoS保证的同时,在公平性、仲裁延迟、硬件开销等方面均比以往工作取得了明显优势。3、基于高密度存储器的可扩展光高阶交换芯片（第五章）基于交换结构输入输出端口隔离的思想,利用高密度、高读写字宽的新型存储器,构建了一种以高密度存储器为核心的多端口光交换裸片,并基于2.5D芯片集成技术,从交换网络的层次化设计思路出发,改进了上述多端口的单裸片交换结构,通过在裸片上添加片间输入输出代理模块,为裸片设计了片间数据互连交换接口,从而构建了基于多个裸片互连的可扩展高阶光交换芯片,同时还实现了裸片上的存储器控制逻辑和片间输入输出代理的物理结构,展示了数据报文在上述多裸片高阶交换结构中的传输过程,讨论了上述结构在构建未来高阶交换芯片时的可扩展性特点。最后基于光网络模拟器,分析了基于裸片结构的高阶交换芯片在延迟、吞吐率、硬件开销、功耗等方面的优势。4、面向Graphein硅光网络结构的功耗和可靠性分析模型（第六章）根据硅光器件的制造偏差和温度偏离特性,依次建立了从硅光器件到Graphein结构的硅光网络功耗分析模型,提出了一种利用额外通道和冗余微环,分别减少温敏控制功耗与制造调制功耗的方法。比较了两种冗余微环布局方法,分析了上述策略对光高阶交换网络温敏功耗与制造调制功耗的优化效果。为评价上述功耗优化策略对硅光网络信噪比的影响,进一步建立了网络的信噪比分析模型,分析了上述方法对网络信噪比的影响。总结了影响信噪比的网络参数,为进一步扩展光高阶交换结构提供了参考。
二、光互连技术的发展与现状（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、光互连技术的发展与现状（论文提纲范文）
（1）针对片上光互连网络通信可靠性的研究与优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 片上光网络实现基础 |
| 1.2.2 片上光网络可靠性研究 |
| 1.2.3 光编码技术与光编码器 |
| 1.3 研究意义与主要研究内容 |
| 1.4 论文组织结构 |
| 第二章 片上光互连器件与关键基础理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 片上光互连基本器件 |
| 2.2.1 激光器 |
| 2.2.2 耦合器 |
| 2.2.3 光波导 |
| 2.2.4 微环谐振器 |
| 2.2.5 滤波器与调制器 |
| 2.2.6 光电探测器 |
| 2.2.7 光器件数值仿真方法 |
| 2.2.8 光器件优化理论 |
| 2.3 光波分复用理论基础 |
| 2.4 非线性四波混频效应 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于串扰特性的片上光互连网络通信可靠性分析与优化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 光器件级串扰特性的分析与优化 |
| 3.2.1 物理结构模型 |
| 3.2.2 功率分析模型 |
| 3.2.3 传输特性分析 |
| 3.3 光路由器级串扰特性的分析与优化 |
| 3.3.1 串扰特性分析模型 |
| 3.3.2 光路由器结构优化 |
| 3.3.3 光路由器性能分析 |
| 3.4 光网络级串扰特性分析与理论建模 |
| 3.4.1 片上光Mesh与Torus网络 |
| 3.4.2 交换机制与路由协议 |
| 3.4.3 串扰特性分析与建模 |
| 3.5 片上光互连网络性能仿真与分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 片上光互连网络可靠性编码的研究与设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 片上光群计数编码器的设计与实现 |
| 4.2.1 理论基础 |
| 4.2.2 设计实现 |
| 4.2.3 功能验证 |
| 4.3 片上光群计数编码器的性能分析与比较 |
| 4.3.1 检错效率 |
| 4.3.2 能耗分析 |
| 4.3.3 面积开销 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于光编码技术的片上光互连网络通信可靠性分析与优化 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 片上可靠性光通信系统设计与优化 |
| 5.2.1 片上可靠性光通信系统设计 |
| 5.2.2 检错重传机制 |
| 5.2.3 重传机制优化 |
| 5.3 仿真分析与性能评估 |
| 5.3.1 数值仿真分析 |
| 5.3.2 通信可靠性评估 |
| 5.3.3 检错能力评估 |
| 5.3.4 功耗分析与评估 |
| 5.3.5 时延开销评估 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本文工作总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士期间已发表的论文及专利 |
| 攻读博士期间参加的科研项目 |
（2）基于深度强化学习的数据中心光互连拓扑研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 数据中心网络互连技术发展 |
| 1.1.1 互连网络架构发展现状 |
| 1.1.2 关键技术进展 |
| 1.2 数据中心互连网络面临的问题与尝试 |
| 1.2.1 数据中心互连网络面临的问题 |
| 1.2.2 光交换技术引入的尝试 |
| 1.3 本文主要研究工作及结构安排 |
| 1.3.1 主要研究工作 |
| 1.3.2 论文结构 |
| 第二章 数据中心的光互连网络与技术 |
| 2.1 光交换与数据中心的互连网络 |
| 2.1.1 光互连网络的优势 |
| 2.1.2 光交换技术与光互连器件 |
| 2.2 数据中心的光互连网络架构 |
| 2.3 数据中心光互连网络的关键问题 |
| 2.3.1 数据中心网络流量控制问题 |
| 2.3.2 数据中心互连网络控制智能化的问题 |
| 2.4 基于软件定义网络的可重构光互连网络架构设计 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于深度强化学习的可重构光互连网络路由算法设计 |
| 3.1 基于机器学习的网络重构 |
| 3.2 基于深度强化学习的可重构光互连网络架构 |
| 3.2.1 整体网络架构 |
| 3.2.2 DRL Agent机制 |
| 3.3 基于深度强化学习的路由算法设计 |
| 3.3.1 强化学习算法比较 |
| 3.3.2 基于DDPG的网络重构算法实现 |
| 3.4 仿真实验结果与性能分析 |
| 3.4.1 流量模型的选择 |
| 3.4.2 重构网络性能的评估 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于深度强化学习的可重构光互连网络拓扑算法设计 |
| 4.1 整体架构介绍 |
| 4.2 拓扑算法设计 |
| 4.2.1 算法中动作选择策略的分析 |
| 4.2.2 算法中动作选择策略的改进 |
| 4.3 仿真实验结果与性能分析 |
| 4.3.1 实验平台设置 |
| 4.3.2 训练参数选择 |
| 4.3.3 不同流量强度下的训练结果分析 |
| 4.3.4 模型测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结束语 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 |
（3）应用于单纤双向光互连的垂直集成收发一体芯片（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 VCSEL和集成器件的研究现状 |
| 1.3 主要结构与工作安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 光通信系统中的VCSEL |
| 2.1 VCSEL的基本结构 |
| 2.1.1 分布式布拉格反射镜 |
| 2.1.2 垂直谐振腔 |
| 2.1.3 有源区设计 |
| 2.1.4 横向限制 |
| 2.2 VCSEL的静态和动态特性 |
| 2.2.1 阈值电流、斜率效率和功率转换效率 |
| 2.2.2 失谐与温度依赖 |
| 2.2.3 小信号调制特性 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 光通信系统中的光电探测器 |
| 3.1 光电探测器的工作原理 |
| 3.2 PIN光电探测器 |
| 3.3 谐振腔增强型光电探测器 |
| 3.4 双腔谐振增强型光电探测器 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 垂直集成器件VCSEL-PINPD |
| 4.1 垂直集成器件VCSEL-PINPD结构与设计过程 |
| 4.2 垂直集成器件VCSEL-PINPD性能研究 |
| 4.3 垂直集成器件VCSEL-PINPD两单元之间的相互影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 VCSEL-PINPD制备和性能研究 |
| 5.1 制备VCSEL-PINPD垂直集成器件的后工艺步骤 |
| 5.2 湿法氧化工艺探究 |
| 5.2.1 湿法氧化工艺的简单介绍 |
| 5.2.2 湿氮氧化工艺的实验装置及操作流程 |
| 5.2.3 湿氮氧化实验探究过程 |
| 5.3 器件测试及性能研究 |
| 5.3.1 集成器件结构描述及有关仿真和理论分析 |
| 5.3.2 验证实验及结果分析 |
| 5.4 改进版实验流程方案 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 垂直集成器件VCSEL-RCEPD |
| 6.1 垂直集成器件VCSEL-RCEPD结构及设计原理 |
| 6.2 垂直集成器件VCSEL-RCEPD性能研究 |
| 6.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 垂直集成器件VCSEL-双腔RCEPD |
| 7.1 垂直集成器件VCSEL-双腔RCEPD结构与设计 |
| 7.2 垂直集成器件VCSEL-双腔RCEPD性能研究及相互影响分析 |
| 7.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 总结与展望 |
| 8.1 总结 |
| 8.2 展望 |
| 附录 符号和缩略语 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的主要科研成果 |
（4）基于VCSEL和PIN的一体集成光电收发芯片研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 论文内容 |
| 1.2.1 805nm发送端集成结构设计 |
| 1.2.2 工艺过程探究 |
| 1.2.3 集成芯片工艺制作 |
| 1.3 论文结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 集成收发一体芯片研究现状 |
| 2.1 光互连技术发展与应用 |
| 2.2 光互连技术研究 |
| 2.3 集成收发一体芯片发展现状 |
| 参考文献 |
| 第三章 集成结构理论基础 |
| 3.1 VCSEL的基本结构及性能指标 |
| 3.1.1 VCSEL的基本结构 |
| 3.1.2 VCSEL的性能指标 |
| 3.1.2.1 阈值条件 |
| 3.1.2.2 阈值电流密度 |
| 3.1.2.3 出光功率 |
| 3.1.3 DBR反射镜设计 |
| 3.1.3.1 DBR反射率计算 |
| 3.1.3.2 DBR串联电阻 |
| 3.2 量子阱渤光器 |
| 3.2.1 量子阱激光器的工作原理 |
| 3.2.2 量子阱激光器的工作特性 |
| 3.3 PIN光探测器的基本理论 |
| 3.3.1 PIN光探测器的工作原理 |
| 3.3.2 PIN光探测器的工作特性 |
| 3.3.2.1 量子效率 |
| 3.3.2.2 响应速度 |
| 3.3.2.3 光谱响应 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于VCSEL和PIN的垂直集成结构设计 |
| 4.1 器件结构及设计目标 |
| 4.2 VCSEL单元结构设计 |
| 4.2.1 反射镜设计 |
| 4.2.2 量子阱结构设计 |
| 4.2.3 氧化限制层优化 |
| 4.3 垂直集成结构理论分析 |
| 4.3.1 光学解耦 |
| 4.3.2 电学解耦 |
| 4.3.3 垂直集成结构设计结果 |
| 4.4 计算结果及讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 工艺调试 |
| 5.1 光刻 |
| 5.1.1 实验目的 |
| 5.1.2 实验原理 |
| 5.1.3 实验方案设计及结果分析 |
| 5.2 淀积SiO_2薄膜 |
| 5.2.1 实验目标 |
| 5.2.2 实验原理 |
| 5.2.3 实验方案设计及结果分析 |
| 5.3 图形反转 |
| 5.3.1 实验目标 |
| 5.3.2 实验原理 |
| 5.3.3 实验方案设计 |
| 5.4 湿法氧化 |
| 5.4.1 实验目标 |
| 5.4.2 实验原理 |
| 5.4.3 实验方案设计及结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 工艺设计实现及芯片性能分析 |
| 6.1 集成芯片整体工艺流程设计 |
| 6.2 集成芯片工艺实现 |
| 6.2.1 制作顶电极 |
| 6.2.2 淀积SiO_2介质薄膜 |
| 6.2.3 干法刻蚀VCSEL下台阶 |
| 6.2.4 湿法氧化 |
| 6.2.5 清除表面残余物及重新淀积SiO_2保护层 |
| 6.2.6 制作VCSEL单元和PIN单元共面N型电极 |
| 6.2.7 溅射电极 |
| 6.3 集成芯片测试方案设计 |
| 6.3.1 测试方案分析 |
| 6.3.2 测试方案设计 |
| 6.4 集成芯片测试结果及分析 |
| 6.5 工艺过程优化 |
| 6.5.1 制作顶电极 |
| 6.5.2 刻蚀上台阶、淀积SiO_2保护膜 |
| 6.5.3 继续刻蚀顶DBR同时湿法氧化 |
| 6.5.4 刻蚀VCSEL底镜及PIN-PD |
| 6.5.5 淀积SiO_2保护膜 |
| 6.5.6 打开电极窗口并溅射电极金属 |
| 6.5.7 刻蚀电极和Pad |
| 6.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 |
（5）数据中心光互连网络流量调度算法的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 数据中心的发展 |
| 1.1.1 数据中心的演进与现状 |
| 1.1.2 数据中心的发展趋势 |
| 1.1.3 数据中心的需求 |
| 1.2 数据中心网络技术的趋势和挑战 |
| 1.2.1 传统电交换数据中心网络 |
| 1.2.2 电互连网络的技术瓶颈 |
| 1.2.3 光互连技术的发展 |
| 1.2.4 典型的光互连网络及调度策略 |
| 1.3 研究内容及结构安排 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 内容安排 |
| 第二章 光电路交换网络流量调度算法的研究 |
| 2.1 数据中心流量特性 |
| 2.2 毫秒级光电路交换网络流量调度算法 |
| 2.2.1 匹配算法 |
| 2.2.2 TMA算法 |
| 2.3 微秒级光电路交换网路流量调度算法 |
| 2.3.1 TMS算法 |
| 2.3.2 Solstice算法 |
| 2.3.3 分布式调度算法FCFT |
| 2.3.4 Roter Net轮询算法 |
| 2.4 流量调度方案总结对比 |
| 第三章 毫秒级交换网络调度算法设计 |
| 3.1 问题分析 |
| 3.2 目标及设计思路 |
| 3.2.1 目标 |
| 3.2.2 设计思路 |
| 3.3 流量收集方案 |
| 3.4 基于中继传输的流量调度算法设计 |
| 3.4.1 中继广播机制 |
| 3.4.2 ToR交换机路由规则设计 |
| 3.4.3 Bufferbloat避免机制 |
| 3.5 分析论证 |
| 3.5.1 Connectivity分析 |
| 3.5.2 仿真配置 |
| 3.5.3 性能分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 微秒级交换网络调度算法设计 |
| 4.1 问题分析 |
| 4.2 可变传输粒度的光电路调度方案设计 |
| 4.2.1 数学模型归纳 |
| 4.2.2 光链路重配间隔的确定 |
| 4.2.3 流量需求矩阵的生成 |
| 4.2.4 调度矩阵的计算 |
| 4.3 软件仿真设计 |
| 4.3.1 拓扑结构 |
| 4.3.2 仿真参数 |
| 4.3.3 性能指标 |
| 4.4 仿真结果对比及分析 |
| 4.4.1 不同流量模式下的性能对比 |
| 4.4.2 不同网络规模下的性能对比 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）面向多FPGA器件的高速串行光互连系统研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 多FPGA系统的研究现状 |
| 1.2.2 片间通信瓶颈与发展趋势 |
| 1.3 论文的主要内容 |
| 1.4 本文的章节安排 |
| 第二章 高速串行光互连系统设计关键技术 |
| 2.1 多FPGA系统结构 |
| 2.1.1 多FPGA系统互连结构 |
| 2.1.2 多FPGA系统配置结构 |
| 2.2 高速串行传输技术 |
| 2.2.1 高速串行传输的优势 |
| 2.2.2 高速收发器系统构成 |
| 2.2.3 高速串行协议与编码 |
| 2.2.4 高速串行技术的发展 |
| 2.3 光互连技术 |
| 2.3.1 光互连系统 |
| 2.3.2 光收发模块的发展 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 高速串行光互连系统结构与链路设计 |
| 3.1 系统功能与主要技术指标 |
| 3.2 系统整体结构设计 |
| 3.2.1 可切换互连结构设计 |
| 3.2.2 FPGA芯片选型 |
| 3.2.3 系统整体框架与特性 |
| 3.3 系统互连链路设计 |
| 3.3.1 单通道互连链路设计 |
| 3.3.2 多通道互连链路设计 |
| 3.3.3 高速转接互连链路设计 |
| 3.3.4 时钟分配设计 |
| 3.3.5 多链路数据同步设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 高速串行光互连系统硬件平台设计 |
| 4.1 系统硬件平台整体概述 |
| 4.2 系统硬件平台关键电路设计 |
| 4.2.1 电源系统设计 |
| 4.2.2 配置系统设计 |
| 4.2.3 存储系统设计 |
| 4.2.4 光口电路设计 |
| 4.3 系统硬件平台板材选型与PCB设计 |
| 4.3.1 高速板材选型 |
| 4.3.2 PCB层叠设计 |
| 4.3.3 高速布线设计 |
| 4.4 本章小节 |
| 第五章 系统测试与实验结果分析 |
| 5.1 系统硬件与测试环境 |
| 5.1.1 系统硬件实物 |
| 5.1.2 系统测试环境 |
| 5.2 系统整体功能测试与评估 |
| 5.2.1 高速传输功能 |
| 5.2.2 其他硬件功能 |
| 5.3 系统整体性能测试与评估 |
| 5.3.1 资源开销评估 |
| 5.3.2 传输延迟评估 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 6.1 论文主要工作 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
（7）机器学习辅助的短距离光互连高阶调制技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景与研究意义 |
| 1.2 高阶调制光互连技术的研究现状和发展 |
| 1.3 机器学习光互连技术的研究现状和发展 |
| 1.4 论文的主要内容与章节安排 |
| 第二章 IM-DD光互连高阶调制技术原理 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 IM-DD光互连系统 |
| 2.3 DMT调制光互连技术 |
| 2.3.1 DMT调制原理 |
| 2.3.2 循环前缀 |
| 2.3.3 比特和功率分配算法 |
| 2.4 SV调制光互连技术 |
| 2.4.1 SV调制原理 |
| 2.4.2 SV接收机 |
| 2.4.3 SV发送端 |
| 2.4.4 斯托克斯空间的偏振旋转 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于支持向量机的DMT判决技术研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 支持向量机信号处理技术 |
| 3.2.1 支持向量机背景 |
| 3.2.2 基本线性二分类原理 |
| 3.2.3 非线性SVM与核技巧 |
| 3.2.4 线性不可分与松弛变量 |
| 3.3 DMT信号SVM多分类方法研究 |
| 3.3.1 基于SVM的 DMT判决问题分析 |
| 3.3.2 基于一比一的SVM多分类方法 |
| 3.3.3 基于一比多的SVM多分类方法 |
| 3.3.4 基于二叉树的SVM多分类方法 |
| 3.4 MZM单模光互连系统中DMT调制的SVM多分类技术研究 |
| 3.4.1 实验系统与参数设置 |
| 3.4.2 结果与性能分析 |
| 3.5 VCSEL多模光互连系统中DMT调制的SVM多分类技术研究 |
| 3.5.1 VCSEL的调制非线性 |
| 3.5.2 DMT信号的非线性损伤 |
| 3.5.3 基于VCSEL-MMF实现112-Gbps光互连 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 基于神经网络的SV-DD技术研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 传统的SV解调技术原理 |
| 4.2.1 基于训练序列辅助估计的SV-RM计算 |
| 4.2.2 基于盲估计的RM估计计算 |
| 4.2.3 基于盲自适应均衡的SV解调原理 |
| 4.3 基于神经网络的SV解调技术原理 |
| 4.3.1 神经网络与非线性激活函数 |
| 4.3.2 SV-DD系统中的非线性因素 |
| 4.3.3 神经网络用于SV解调原理 |
| 4.4 SV-DD神经网络解调 |
| 4.4.1 4-QAM单偏振2-D检测 |
| 4.4.2 4-QAM+PAM-2 双偏振3-D检测 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 研究总结 |
| 5.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 附录 (缩略语表) |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
（8）面向片上光互连的面发射激光器及其集成技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 片上光互连技术的研究意义 |
| 1.2 集成光子芯片 |
| 1.3 用于集成光子芯片的光源及集成技术研究进展 |
| 1.4 本论文的主要研究内容及创新点 |
| 2 激光器设计原理与数值方法 |
| 2.1 半导体激光器的工作原理与基本结构 |
| 2.2 半导体激光器的仿真 |
| 2.3 激光器时域行波模型与数值求解方法 |
| 2.4 仿真软件编写与验证 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 高阶光栅面发射半导体激光器研究 |
| 3.1 器件结构及原理 |
| 3.2 高阶光栅的傅里叶展开分析模型 |
| 3.3 高阶光栅面发射激光器的仿真模型 |
| 3.4 高阶光栅面发射激光器的仿真模型验证与结构优化研究 |
| 3.5 渐变脊波导型结构高阶光栅面发射激光器 |
| 3.6 器件简要制作方案 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 光栅耦合面发射激光器集成技术研究 |
| 4.1 光栅耦合器的基本理论 |
| 4.2 波导光栅的数值仿真-时域有限差分法 |
| 4.3 面发射激光器与垂直光栅耦合器集成的设计与优化 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文和申请专利目录 |
| 附录2 攻读博士学位期间参与的课题研究情况 |
（9）面向板级光互连的聚合物光波导及器件（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 主要符号对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光互连技术的研究背景 |
| 1.1.1 光互连技术的优势 |
| 1.1.2 光互连技术的发展趋势 |
| 1.2 板级光互连系统的关键技术 |
| 1.2.1 有源器件 |
| 1.2.2 耦合方式 |
| 1.2.3 传输媒质 |
| 1.2.4 无源器件 |
| 1.3 聚合物光波导的制备 |
| 1.3.1 聚合物材料 |
| 1.3.2 聚合物光波导制备工艺 |
| 1.4 板级光互连的实现方式及研究现状 |
| 1.4.1 多模解决方案 |
| 1.4.2 单模解决方案 |
| 1.5 本论文结构安排及主要内容 |
| 第二章 波导模式分析与仿真计算 |
| 2.1 平板光波导 |
| 2.1.1 平板光波导的亥姆霍兹方程 |
| 2.1.2 TE模和TM模的色散方程 |
| 2.2 矩形光波导 |
| 2.2.1 马卡梯里近似解法 |
| 2.2.2 有效折射率法 |
| 2.3 光波导模式仿真计算方法 |
| 2.3.1 有限元法 |
| 2.3.2 光束传播法 |
| 2.4 波导间耦合 |
| 2.4.1 耦合模理论 |
| 2.4.2 定向耦合器 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 高性能、大带宽多模聚合物光波导设计与制备 |
| 3.1 多模聚合物光波导的模式分析及带宽计算 |
| 3.1.1 模场分布 |
| 3.1.2 模式分析 |
| 3.1.3 带宽计算 |
| 3.2 矩形波导芯多模聚合物光波导制备与性能分析 |
| 3.2.1 多模聚合物光波导的光刻工艺参数 |
| 3.2.2 FR-4 衬底上多模光波导的光学性能及带宽分析 |
| 3.2.3 柔性光波导的制备与性能分析 |
| 3.2.4 米级聚合物光波导性能的综合评价 |
| 3.3 圆形波导芯多模聚合物光波导的制备与测试分析 |
| 3.3.1 3D直写工艺参数 |
| 3.3.2 光学性能评估 |
| 3.3.3 高速传输性能评估 |
| 3.3.4 双层聚合物光波导 |
| 3.4 多模聚合物光波导集成 |
| 3.4.1 封装MT接头的柔性光波导 |
| 3.4.2 FR-4 衬底上聚合物光波导的压板集成 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 1550 nm波长单模聚合物光波导设计与制备 |
| 4.1 单模聚合物光波导设计 |
| 4.1.1 矩形单模聚合物光波导的设计 |
| 4.1.2 圆形单模聚合物光波导的设计 |
| 4.2 矩形单模聚合物光波导的制备与性能分析 |
| 4.2.1 单模光波导光刻工艺参数 |
| 4.2.2 光学性能分析 |
| 4.3 圆形单模聚合物光波导的制备与测试分析 |
| 4.3.1 圆形单模聚合物光波导的制备 |
| 4.3.2 光学性能评估 |
| 4.3.3 高速传输性能评估 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 聚合物波导器件的设计与制备 |
| 5.1 Y型分束器/合束器 |
| 5.1.1 平面Y型分束器/合束器设计与制备 |
| 5.1.2 3D Y型分束器/合束器设计与制备 |
| 5.2 定向耦合器 |
| 5.2.1 2D定向耦合器设计与制备 |
| 5.2.2 3D定向耦合器设计与制备 |
| 5.3 模式复用/解复用器 |
| 5.3.1 基于少模波导拉锥的模式复用/解复用器设计与制备 |
| 5.3.2 基于双波导拉锥的模式复用/解复用器设计与制备 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 攻读学位期间参与的项目 |
（10）片上光互连高阶交换芯片设计研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 互连网络在高性能计算机中的重要地位 |
| 1.1.2 高阶交换芯片设计所面临的技术挑战 |
| 1.1.3 应对高阶交换芯片设计的新技术 |
| 1.2 课题研究目标和意义 |
| 1.3 本文研究内容与创新点 |
| 1.3.1 主要研究内容 |
| 1.3.2 本文创新点 |
| 1.4 本文组织结构 |
| 第二章 交换芯片与硅光技术相关研究 |
| 2.1 交换芯片设计研究现状 |
| 2.1.1 基于Crossbar的交换芯片设计 |
| 2.1.2 基于瓦片的YARC结构设计 |
| 2.2 硅光网络关键技术研究现状 |
| 2.2.1 硅光器件 |
| 2.2.2 基于硅光技术的高阶交换芯片设计研究现状 |
| 2.3 片上光互连网络模拟 |
| 2.4 主要研究团队汇总 |
| 2.4.1 国外研究团队 |
| 2.4.2 国内研究团队 |
| 第三章 基于3D集成的高性能高阶光电互连交换结构 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 相关工作 |
| 3.3 高性能3D集成光电高阶交换结构设计 |
| 3.3.1 Graphein结构与光交换层 |
| 3.3.2 数据交换策略设计 |
| 3.3.3 交换网络的物理设计与光导布局 |
| 3.4 Graphein结构的吞吐率分析 |
| 3.4.1 基于加速比的吞吐率分析模型 |
| 3.4.2 Graphein结构吞吐率分析 |
| 3.5 实验结果分析 |
| 3.5.1 实验环境设置 |
| 3.5.2 延迟分析 |
| 3.5.3 吞吐率分析 |
| 3.5.4 公平性分析 |
| 3.5.5 性能隔离分析 |
| 3.5.6 功耗分析 |
| 3.6 总结 |
| 第四章 支持QoS的光高阶交换网络中的分级仲裁算法 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 相关研究 |
| 4.3 基于QoS支持的分级仲裁结构 |
| 4.3.1 QoS设计规则 |
| 4.3.2 支持QoS的仲裁结构 |
| 4.4 资源预留的仲裁策略 |
| 4.5 硬件设计与布局 |
| 4.5.1 快速光仲裁通道设计 |
| 4.5.2 互连接口与两级仲裁器微结构 |
| 4.6 实验评估与对比 |
| 4.6.1 实验环境 |
| 4.6.2 QoS分析 |
| 4.6.3 性能分析 |
| 4.6.4 真实流量分析 |
| 4.6.5 功耗分析 |
| 4.7 总结 |
| 第五章 基于高密度存储器的可扩展高阶光交换芯片设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 相关研究 |
| 5.3 基于高密度存储器的高阶交换网络设计 |
| 5.3.1 高阶交换网络的层次化设计思路 |
| 5.3.2 以高密度存储器为中心的光交换网络设计 |
| 5.3.3 基于存储器模块化和多裸片互连的交换结构扩展 |
| 5.3.4 面向片间互连的裸片结构设计 |
| 5.4 存储器控制逻辑和片间互连输入输出代理的实现 |
| 5.4.1 存储器控制逻辑实现 |
| 5.4.2 片间互连输入输出代理结构实现 |
| 5.4.3 数据交换过程 |
| 5.5 性能评价 |
| 5.5.1 延迟和吞吐率分析 |
| 5.5.2 硬件开销 |
| 5.5.3 功耗分析 |
| 5.6 总结 |
| 第六章 光高阶交换网络的功耗与SNR分析与评价 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 相关工作 |
| 6.3 面向Graphein结构的温敏功耗、制造偏离和信噪比分析模型 |
| 6.3.1 硅光网络可靠性与静态功耗的相互影响 |
| 6.3.2 温敏调制功耗分析模型 |
| 6.3.3 制造偏离分析模型 |
| 6.3.4 信噪比分析模型 |
| 6.4 面向低功耗高信噪比的额外通道与冗余微环设计 |
| 6.4.1 额外通道设计 |
| 6.4.2 冗余微环设计 |
| 6.5 实验与评价 |
| 6.5.1 系统设置 |
| 6.5.2 温敏调制功耗 |
| 6.5.3 制造偏离校正功耗 |
| 6.5.4 信噪比分析 |
| 6.6 总结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 工作总结 |
| 7.2 课题研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
四、光互连技术的发展与现状（论文参考文献）
- [1]针对片上光互连网络通信可靠性的研究与优化[D]. 宋婷婷. 西南大学, 2021(01)
- [2]基于深度强化学习的数据中心光互连拓扑研究[D]. 杨雯. 北京邮电大学, 2021(01)
- [3]应用于单纤双向光互连的垂直集成收发一体芯片[D]. 位祺. 北京邮电大学, 2020
- [4]基于VCSEL和PIN的一体集成光电收发芯片研究[D]. 罗俊伟. 北京邮电大学, 2020
- [5]数据中心光互连网络流量调度算法的研究[D]. 马尚琪. 西安电子科技大学, 2020(05)
- [6]面向多FPGA器件的高速串行光互连系统研究与设计[D]. 许晋彰. 上海交通大学, 2020(01)
- [7]机器学习辅助的短距离光互连高阶调制技术研究[D]. 王畅. 上海交通大学, 2020(01)
- [8]面向片上光互连的面发射激光器及其集成技术研究[D]. 敖应权. 华中科技大学, 2019(01)
- [9]面向板级光互连的聚合物光波导及器件[D]. 徐晓. 上海交通大学, 2019(06)
- [10]片上光互连高阶交换芯片设计研究[D]. 翦杰. 国防科技大学, 2017(02)